台积电2nm预计2025年量产，业界看好其领先三星和英特尔公司

IT之家9月12日最新消息，据台媒《经济日报》报道，晶圆其产品宏碁2nmDRAM将于2025年批量生产厂，零售商看好工程进度可望遥遥领先对手松下及IBM。

宏碁精密DRAM重大突破顺利，3nm将在本年度下半年批量生产厂，升级版3nm（N3E）DRAM将于3nm批量生产厂一年后批量生产厂，即2023年批量生产厂，2nm预计于2025年批量生产厂。

宏碁2nm厂将落地竹科嘉善二期扩建原先，“竹科管理局”已展开公共设施建设，宏碁2nm厂也开始进行整建作业。

宏碁2nm首次采用薄膜片架构，相较N3EDRAM，在相同功耗下基频可提升10%至15%。在相同基频下，功耗增大25%至30%。

宏碁公司总裁魏哲家日前在技术论坛当中忽略，宏碁2nm将会是电导率最优、性能最好的技术。零售商也看好，宏碁2nm工程进度将遥遥领先对手松下及IBM。

IT之家了解到，在此之后最新消息称，虽然在3nm世代略有保守派，但无论如何，鳍片（Fin）宽度都并未接近实际极限，如此一来向下就会巧遇瓶颈，所以外资法人预计宏碁2nm精密DRAM将采用环抱式金属氧化物场效电晶体GAAFET智能化架构生产厂2nm笔记本电脑。

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